1 Einleitung. - 2 Lärmquellen und Methoden der Kopplung. - 2. 1 Rauschen und Phänomene von Halbleiterbauelementen. - 2. 2 Rauschen durch Schaltspannung und -strom. - 2. 3 Induktive Kopplung. - 2. 4 Kapazitive Kopplung. - 2. 5 Substrat-Kopplung. - 2. 6 Zusammenfassung. - 3 Simulation von Halbleiterbauelementen. - 3. 1 Bedeutung. - 3. 2 Grundgleichungen. - 3. 3 Randbedingungen. - 3. 4 Modelle physikalischer Parameter. - 3. 5 Räumliche Diskretisierung. - 3. 6 Lösungsmethoden. - 3. 7 Ein repräsentatives Beispiel. - 3. 8 Zusammenfassung. - 4 Vereinfachte Substratmodellierung und schnelle Simulation. - 4. 1 Vereinfachte Gleichung. - 4. 2 Räumliche Diskretisierung. - 4. 3 Randbedingungen. - 4. 4 Lösungsmethoden. - 4. 5 Asymptotische Wellenformauswertung (AWE). - 4. 6 Substrat-AWE-Makromodelle. - 4. 7 Transiente Simulation von AWE-Makromodellen. - 4. 8 Substrat-DC-Makromodelle. - 4. 9 Matrix-Lösung. - 4. 10 Ergebnisse. - 4. 11 Zusammenfassung. - 5 Erzeugung von Netzen. - 5. 1 Adaptive Netzverfeinerung. - 5. 2 A-priori-Netzverfeinerung. - 5. 3 Zusammenfassung. - 6 Substratmodellierung in stark dotierten Bulk-Prozessen. - 6. 1 Motivation. - 6. 2 Einzelknoten-Substratmodell. - 6. 3 Modifiziertes Einzelknoten-Substratmodell. - 6. 4 Zusammenfassung. - 7 Extraktion des Substratwiderstands für große Schaltkreise. - 7. 1 Verschachtelte Makromodellierung. - 7. 2 Interpolierte Makromodellierung. - 7. 3 Zusammenfassung. - 8 Energieverteilung von Modellierungschips/-gehäusen. - 8. 1 Einfluss der Power-Bus-Struktur auf die Geräuschkopplung. - 8. 2 Zusammenfassung. - 9 Steuerung der Substratkopplung in stark dotierten Bulk-Prozessen. - 9. 1 Charakterisierung von Geräuschkopplungskonzepten. - 9. 2 P+ Charakterisierung von Bulk-Wafern. - 9. 3 Einfluss der Platzierung des Substratkontakts auf das gekoppelte Rauschen. - 9. 4 Einfluss der Gehäuseinduktivität auf das Substratrauschen. - 9. 5 Techniken zur Steuerung der Geräuschkopplung. - 9. 6 Zusammenfassung. - 10 Steuerung der Substratkopplung in Bulk-P-Wafern. - 10. 1 Eigenschaften von Bulk P-Wafern. - 10. 2 Substrat-Dämpfungsstrukturen. -10. 3 Zusammenfassung. - 11 Chip-/Gehäuseabschirmung und gute Praxis für das Schaltungsdesign. - 11. 1 Strahlung im Fernfeld. - 11. 2 Auswirkung von Isolations-/Abschirmungstechniken für Chipsignale auf das Rauschen. - 11. 3 Einfluss der Verpackung auf den Lärm. - 11. 4 Einfluss des Kartenlayouts und der Referenzierung auf das Rauschen. - 11. 5 Auswirkung der Schaltungstopologie auf das Rauschen. - 11. 6 Zusammenfassung. - 12 Ein Designbeispiel. - 12. 1 Aufbau eines Mixed-Signal-ICs. - 12. 2 Zusammenfassung. -Anhänge. - Ein Mesh-Moment. - B Konvergenzverhalten iterativer Methoden. Sprache: Englisch