Field-effect Self-mixing Terahertz Detectors

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Field-effect Self-mixing Terahertz Detectors

A Comprehensive Device Model Considering Both Spatial Distributions Of The Terahertz Field And The Field-effect Self-mixing Factor Has Been Constructed For The First Time In The Thesis. The Author Has Found That It Is The Strongly Localized Terahertz Field Induced In A Small Fraction Of The Gated Electron Channel That Plays An Important Role In The High Responsivity. An Algangan-based High-electron-mobility Transistor With A 2-micron-sized Gate And Integrated Dipole Antennas Has Been Developed And Can A Noise-equivalent Power As Low As 40 Pwhz12 At 900 Ghz.
  • Identifiant Fruugo: 557268143-1125538045
  • ISBN: 9783662569481
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