La fabrication de la mémoire flash, qui est la technologie dominante de mémoire non volatile, se heurte à de graves obstacles techniques. À tel point que certaines technologies émergentes ont été proposées comme alternatives à la mémoire flash dans le nano-régime. Conception de mémoire non volatile : la résistance magnétique et le changement de phase introduisent trois candidats prometteurs : la mémoire à changement de phase, la mémoire magnétique à accès aléatoire et la mémoire à accès aléatoire résistive. Le texte illustre le mécanisme fondamental de stockage de ces technologies et examine leurs différences par rapport aux techniques de mémoire flash. Sur la base des dernières avancées, les auteurs discutent des principales méthodologies de conception ainsi que des diverses fonctions et capacités des trois technologies de mémoire non volatile. . Langue : Anglais