Il s’agit du premier livre à décrire en détail les nombreuses facettes du dopage dans les semi-conducteurs composés. L’accent est mis sur la physique fondamentale des matériaux et sur les aspects technologiques du dopage. L’auteur décrit en détail toutes les différentes techniques, y compris le dopage lors de la croissance épitaxiale : le dopage par implantation et le dopage par diffusion. Les principales caractéristiques de tous les dopants qui ont été utilisés dans les semi-conducteurs IIIâV sont discutées. De plus, les caractéristiques générales des dopants sont analysées, y compris l’activité électrique, la saturation, l’amphotéricité, l’autocompensation et la concentration maximale de dopants atteignable. Le sujet d’actualité des semi-conducteurs hautement dopés est également abordé. Les niveaux profonds importants sur le plan technologique sont résumés. Les propriétés des niveaux profonds sont présentées phénoménologiquement. Le dernier chapitre est consacré à la caractérisation expérimentale des impuretés. Langue : Anglais