Premier livre sur le sujet, il s’agit d’une introduction complète à la modélisation et à la conception des transistors à effet de champ (FET) sans jonction. En commençant par une discussion sur les avantages et les limites de la technologie, les auteurs fournissent également un aperçu complet des modèles analytiques publiés pour les configurations à double grille et à nanofils, avant d’offrir une introduction générale au modèle basé sur la charge de l’EPFL des FET sans jonction. Des caractéristiques importantes sont introduites progressivement, notamment l’équivalence des nanofils par rapport à l’équivalence à double porte, l’espace de conception technologique, les performances FET sans jonction, les effets de canal courts, les transcapacitances, le fonctionnement asymétrique, les pièges d’interface de bruit thermique et le FET de jonction. D’autres caractéristiques compatibles avec les applications de biocapteurs sont également discutées. Il s’agit d’une ressource précieuse pour les étudiants et les chercheurs qui cherchent à mieux comprendre ce nouveau domaine en plein développement. Langue : Anglais