Un transistor IGBT (transistor bipolaire à grille isolée) utilisé pour la commutation à haut rendement en électronique de puissance. Avantages clés - Améliore l'efficacité du système en réduisant les pertes de commutation et de conduction. - Permet un contrôle PWM précis avec une commutation rapide pour de meilleures performances et une réponse plus rapide. - Prend en charge des courants et tensions élevés dans un boîtier compact. - Pilotage de grille simple et large compatibilité avec les circuits intégrés de contrôle et les modules de puissance standard. - Performances thermiques fiables pour les applications exigeantes. Caractéristiques clés - Fonction : transistor semi-conducteur de puissance pour la commutation et l'amplification en conversion de puissance CA et CC. - Compatibilité : conçu pour fonctionner avec les signaux de pilotage de grille courants et une large gamme de configurations d'onduleurs. - Taille : disponible en boîtiers d'alimentation compacts adaptés au montage sur carte et aux assemblages modulaires. - Matériau : semi-conducteur de puissance en silicium conçu pour des performances de commutation durables. - Performances : optimisé pour une commutation rapide avec de faibles pertes et une tolérance dv/dt élevée. Applications - Onduleurs solaires et autres systèmes de conversion d'énergie renouvelable. - Variateurs de vitesse pour ventilateurs, pompes, convoyeurs et autres équipements. - Alimentations industrielles et convertisseurs DC-DC dans les centres de données et les environnements de fabrication.